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Qualcomm サムスンと共同開発の Snapdragon 835 を発表

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スマートフォン向けのチップセットを供給している Qualcomm が、サムスン電子との共同開発を行っている Snapdragonシリーズのフラグシップモデルとなる Snapdragon 835 を発表した。

Snapdragon 835

Snapdragon 835 は、サムスン電子の 10nm FinFETプロセスを採用したチップセットとなり、14nm FinFETプロセスで製造されたチップセットと比べて27%のパフォーマンスの向上と、40%の消費電力削減を実現できたという。

また Snapdragon 835 では第4世代となる Qualcomm 独自の急速充電規格の Quick Charge 4 に対応し、5分の充電で5時間の利用が可能と言う。

Snapdragon 835 は2017年の上半期中に出荷が始まる。

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ニュースリリース(en)

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